AOB66916L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为整个系统脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的高功率解决方案AOB66916L。它不仅仅是一个MOSFET，更是AOS公司AlphaSGT技术家族的杰出代表，专为应对严苛应用而生，旨在将您的产品性能推向新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高密度DC-DC转换器或新能源车载充电系统中，对功率开关器件的需求是何等苛刻。它们需要在高压下稳定工作，承受大电流冲击，同时还要将能量损耗降至最低，确保系统整体高效、低温运行。AOB66916L正是为此而生。其100V的漏源电压和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力，让它能够轻松驾驭主流的中高功率应用场景，无论是处理瞬态峰值还是持续满载，都游刃有余，为您的设计提供了坚实的功率基础。

选择AOB66916L，意味着您选择了一种更智慧、更高效的能源管理方式。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅3.6毫欧的最大值，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。配合优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），它实现了出色的开关性能，既能快速响应控制信号，又能有效降低开关损耗。这意味着您的系统不仅能获得更高的整体效率，还能简化散热设计，提升功率密度，让产品在竞争中占据显著优势。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-263（D2Pak）的坚固封装，进一步确保了它在各种恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。如果您正在寻找一个值得信赖的功率伙伴，通过专业的AOS代理获取AOB66916L，无疑是迈向成功设计的关键一步。

• 型号:AOB66916L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.5A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:78 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6180 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB66916L的官网价格：1:$5.46000|800:$2.04654，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。