




AON2407
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:6-DFN(2x2)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
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AON2407参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AON2407这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的P沟道MOSFET,以其卓越的性能参数,正成为工程师们应对严苛功率管理挑战的得力助手。它不仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、实现设计创新的强大引擎。
想象一下,在您的便携式设备、电池管理系统或负载开关电路中,需要一颗既能承受30V电压、通过6.3A持续电流,又能在极低导通电阻(低至37.5毫欧)下高效工作的开关。AON2407正是为此而生。其2.5V的低驱动电压门槛,让它在与微控制器或低电压逻辑电路配合时得心应手,轻松实现高效的能量路径控制。无论是智能手机中复杂的电源分配,还是无人机电池的智能保护,亦或是各类消费电子产品的节能模块,它都能确保能量流动的精准与流畅,显著降低导通损耗,直接延长设备的续航时间或提升整体能效。
选择AON2407,意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性与极致优化的性能组合。其紧凑的6-DFN-EP(2x2)封装,为空间受限的现代PCB设计提供了完美的解决方案,帮助您最大化利用每一寸宝贵的板级空间。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在各种恶劣环境下依然稳定运行,赋予您的产品强大的环境适应力。虽然该型号已处于停产状态,但其经典的设计和出色的性能指标,使其在特定存量项目或对成本与性能有精确权衡的设计中,依然具有不可替代的参考价值和吸引力。要获取这颗经典芯片或探索AOS更多先进的替代及升级方案,我们推荐您咨询官方授权的AOS一级代理,他们能为您提供最权威的技术支持和供应链保障。
总而言之,AON2407代表了一个时代对于高性价比、高可靠性P沟道MOSFET的追求。它用实实在在的参数30V耐压、6.3A电流能力、优异的导通特性与热性能,证明了其作为功率开关核心的价值。当您的设计需要一颗能够信赖的“能量守门员”时,回顾或借鉴AON2407的设计哲学,无疑会为您的产品注入一份经典的稳健与高效。
- 型号:AON2407
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:6-DFN(2x2)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):37.5 毫欧 @ 6.3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):21 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):746 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:6-DFN(2x2)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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