AON3613

在追求极致效率与紧凑设计的电子世界，一颗优秀的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款在小型化与高性能之间取得完美平衡的解决方案AON3613。它不仅仅是一个MOSFET阵列，更是您释放设计潜能、打造下一代紧凑型高能效设备的秘密武器。想象一下，将N沟道与P沟道MOSFET集成于一身，以仅52毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达4.5A的连续电流，这意味着更低的功耗、更少的热量以及更长的设备续航，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是需要高效电源管理的便携式设备、追求快速响应的电机驱动模块，还是空间极其宝贵的负载开关与电平转换电路，AON3613都能游刃有余。其逻辑电平门控特性，让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驱动，简化了外围电路设计。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下依然稳定可靠。当您的设计面临PCB空间寸土寸金的挑战时，这颗采用紧凑型8-DFN封装的芯片，将成为您布局中的得力助手，最大化利用每一寸宝贵的板级空间。

选择AON3613，就是选择了一种更智能、更高效的工程设计哲学。它为您带来的不仅是元器件清单上的一项，更是整体系统性能的显著提升和开发周期的有效缩短。其优异的栅极电荷与输入电容参数，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的AOS总代理渠道，您依然可以获得稳定的库存支持与专业的技术服务，为您的现有产品维护或特定项目需求提供坚实保障。让AON3613成为您经典设计中不可或缺的功率核心，延续产品的卓越市场表现。

• 型号:AON3613
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道，共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:245pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• AON3613的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。