




AO5404E
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SC-89-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
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AO5404E参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是点亮创新、驱动性能的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AO5404E。这款N沟道MOSFET以其卓越的电气特性和微小的封装尺寸,正成为众多便携式设备、智能穿戴和物联网模块中不可或缺的“能量心脏”。它不仅代表着AOS在功率半导体领域的深厚技术积淀,更是您实现产品小型化、高效化升级的理想选择。
想象一下,在您精巧的蓝牙耳机、智能手表或手持医疗设备中,需要一颗能够高效、可靠地控制电源通断的开关。AO5404E正是为此而生。其20V的漏源电压和500mA的连续漏极电流,完美适配由单节锂离子电池或低电压电源供电的应用场景。更令人心动的是,它在低至1.8V的驱动电压下即可开启,并在4.5V时实现极低的导通电阻(典型值远低于550毫欧),这意味着它能最大限度地减少开关过程中的功率损耗,将更多电能用于核心功能,从而显著延长您产品的电池续航时间。无论是负载开关、电源路径管理,还是信号切换,它都能以出色的效率稳定运行。
为何众多工程师在面临选型时,会毫不犹豫地青睐AO5404E?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其SC-89-3超小型表面贴装封装,为PCB布局节省了宝贵的空间,让您的设计更加自由灵活。其次,宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)确保了它在各种严苛环境下都能保持稳定性能,提升了产品的整体可靠性。再者,极低的栅极电荷和输入电容,使得开关速度极快,动态损耗极低,特别适合高频开关应用。选择AO5404E,就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能保障。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持,我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供全方位的服务,从选型支持到供应链保障,助力您的项目快速成功。
尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的设计和广泛的应用验证使其在特定领域和现有产品维护中依然拥有不可替代的价值。它代表了一个时代对于高效功率管理的追求,其设计理念至今仍熠熠生辉。对于追求经典、稳定与高性价比解决方案的您来说,AO5404E所承载的技术精髓与可靠性,依然是驱动您创新产品稳健前行的强大动力。立即深入了解这颗经典芯片,发掘它为您下一个项目带来的无限可能。
- 型号:AO5404E
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:SC-89-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):45 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):280mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SC-89-3
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- AO5404E的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























