AON3816_101

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，每一处细节都关乎成败。今天，我们为您隆重介绍一款在紧凑空间内释放强大能量的关键组件AON3816_101。这款由AOS精心打造的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的逻辑电平门驱动能力和极低的导通电阻，正在重新定义小型化、高密度电源管理与信号开关的效能标准。想象一下，仅需微小的驱动电压，就能让高达4A的电流顺畅通过，同时将导通损耗降至最低，这意味着您的设备不仅能运行得更快、更冷，还能显著延长电池续航，这正是现代便携式与物联网设备梦寐以求的解决方案。

无论是智能手机中复杂的电源路径管理，还是平板电脑里精密的背光控制，亦或是各类便携式消费电子、智能穿戴设备中需要高效切换的负载，AON3816_101都能游刃有余地胜任。其20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定表现，让您的产品设计无惧挑战。这颗芯片的共漏极配置与紧凑的8-DFN封装，更是为高密度PCB布局提供了极大的便利，帮助您最大化利用每一寸宝贵的电路板空间，实现更轻薄、更时尚的终端产品设计。

选择AON3816_101，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标如22毫欧的超低导通电阻、仅1.1V的低阈值电压以及优化的栅极电荷依然使其在特定应用和库存解决方案中极具价值。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言，联系值得信赖的AOS代理商是获取这颗经典芯片库存或探讨替代升级方案的最佳途径。让AON3816_101成为您下一个成功项目的坚实基石，与我们一同，将创新的电能，高效、可靠地传递到每一个需要它的角落。

• 型号:AON3816_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• AON3816_101的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。