AON6912ALS_102

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗强大的核心元件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AON6912ALS_102，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越双N沟道MOSFET阵列，以其非凡的性能，正成为工程师们应对高功率密度与高效能挑战的秘密武器。想象一下，将高达30V的耐压能力、最高52A的澎湃电流承载，以及低至7.3毫欧的超低导通电阻，全部集成在一个微小的8-PowerVDFN封装之中，这意味着您的设计将获得前所未有的空间节省与性能飞跃，让系统运行更冷静、更持久。

无论是需要精密电源管理的服务器主板、不断追求轻薄化与长续航的笔记本电脑，还是对功率转换效率有着严苛要求的通信基站与工业电源模块，AON6912ALS_102都能游刃有余地扮演核心开关角色。其非对称的双通道设计，为同步整流、电机驱动、负载开关等复杂应用提供了高度灵活且高效的解决方案。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定如一的表现，确保您的终端产品无论是在严寒还是酷热的环境中，都能可靠运行，大幅提升了产品的环境适应性与市场竞争力。

选择AON6912ALS_102，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级的绝佳选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效、优化系统设计、赢得客户信赖的战略性资产。当您需要为关键设计寻找可靠的功率解决方案时，与值得信赖的AOS代理合作，获取专业的选型支持与供应链服务，将是确保项目顺利推进的明智之举。让AON6912ALS_102成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:AON6912ALS_102
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），34A（Tc），13.8A（Ta），52A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.7 毫欧 @ 10A，10V，7.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V，20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910pF @ 15V，1300pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W（Ta），22W（Tc），2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
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