AON6998

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AON6998。它不仅仅是一个双N沟道MOSFET阵列，更是您提升系统性能、简化设计流程、并最终赢得市场的强大引擎。其卓越的电气特性与紧凑的封装设计，专为应对现代高密度、高效率应用的严苛挑战而生，将为您带来前所未有的价值体验。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，AON6998能够大显身手。它凭借低至5.2毫欧的导通电阻和高达26A的连续电流能力，能显著降低导通损耗，让系统运行更凉爽、更持久。无论是服务器电源、笔记本电脑适配器，还是电动工具、无人机飞控，这颗芯片都能轻松驾驭，确保能量以最高效的方式传递。其非对称的双通道设计，更为您优化布局、实现精准控制提供了极大的灵活性，让复杂的设计变得简单而优雅。

选择AON6998，就是选择了一份放心的保障与领先的性能。它能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种极端环境下依然坚如磐石。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上一个台阶。采用表面贴装的8-PowerWDFN封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了散热性能。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一身的芯片时，请务必通过官方授权的AOS总代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:AON6998
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A，26A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6998的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。