




AON6384
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
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AON6384参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的明星产品AON6384。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术与匠心工艺的结晶,旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡的稳定性。想象一下,当您面对严苛的功率转换需求时,一颗能够同时提供高达83A连续电流承载能力与超低导通电阻的芯片,将如何彻底解放您的设计思路,让效率与功率密度双双达到新的巅峰。
这款芯片的应用场景极为广泛,几乎覆盖了所有对高效、紧凑、可靠有严苛要求的领域。无论是服务器和数据中心里日夜不停歇的电源模块,还是新能源汽车中至关重要的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器;无论是不断追求轻薄长续航的笔记本电脑适配器,还是工业自动化设备中需要稳定输出的电机驱动,AON6384都能游刃有余,成为您系统中最值得信赖的“能量阀门”。其30V的漏源电压和卓越的开关特性,使其在同步整流、负载开关及各类DC-DC拓扑中表现尤为出色,能显著降低导通与开关损耗,直接转化为更低的温升、更高的系统效率以及更长的产品寿命。
那么,在众多同类产品中,选择AON6384的核心理由是什么?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其低至3.3毫欧的导通电阻(Rds(on))意味着更少的能量以热的形式浪费,让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其次,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)确保了快速、干净的开关动作,这不仅减少了开关损耗,也简化了驱动电路的设计,让您轻松实现更高频率的开关操作,从而可以使用更小体积的磁性元件。最后,AOS一贯的高品质与可靠性保障,结合其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)和坚固的8-DFN-EP封装,确保了它在最恶劣的环境下也能稳定工作。如果您正在寻找这样一款能全面提升产品竞争力的解决方案,我们建议您通过官方授权的AOS代理商获取样品与技术资料,亲身体验它所带来的变革性力量。
- 型号:AON6384
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1330 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):36W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6384的官网价格:3000:$0.32340,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























