AOT12N50

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天，我们隆重向您介绍一款性能卓越的功率开关解决方案AOT12N50。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。凭借其高达500V的漏源电压和12A的连续漏极电流承载能力，这颗芯片为您的设计注入了澎湃动力与坚实保障，让您在面对严苛的工业环境时也能游刃有余。

想象一下，在您精心设计的开关电源、电机驱动或功率因数校正电路中，AOT12N50正扮演着高效能量转换的核心角色。无论是服务器电源需要的高稳定供电，还是工业变频器对快速响应的苛刻要求，亦或是新能源领域如光伏逆变器对高效率的执着追求，它都能完美胜任。其低至520毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择AOT12N50，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用坚固的TO-220封装，确保出色的功率耗散能力，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种极端温度挑战。优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动设计更为轻松，有助于提高开关频率，从而缩小磁性元件体积，助力实现更紧凑、更轻量化的产品设计。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，这不仅是对正品品质的保证，更是您项目顺利推进的坚实后盾。让AOT12N50成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOT12N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT12N50的官网价格：1000:$0.92708，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。