




AON6435
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6435参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次元器件的选择都至关重要。今天,我们向您隆重介绍一款能够显著提升您系统性能与稳定性的功率管理核心AON6435。这款由业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的P沟道MOSFET,以其卓越的电气特性和坚固的物理设计,正成为工程师们在30V应用中实现高效电源切换与控制的理想之选。它不仅是一颗元器件,更是您产品在激烈市场竞争中赢得先机的强大助力。
想象一下,在您的便携式设备、负载开关、电池保护电路或是DC-DC转换器中,AON6435能够扮演多么关键的角色。其30V的漏源电压和高达34A(Tc)的连续漏极电流能力,意味着它能够轻松应对各种严苛的功率场景,确保能量传输的澎湃与稳定。无论是需要快速响应的移动电源,还是对空间和散热有极高要求的超薄笔记本主板,这颗芯片都能无缝融入,以其低至17毫欧的导通电阻,将功率损耗降至最低,从而延长设备的续航时间,并显著降低系统的温升,让您的产品运行更冷静、更持久。
选择AON6435,就是选择了一份值得信赖的保障。其5V/10V的低驱动电压要求,使其能够与现代低压微控制器完美配合,简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷(21nC)和输入电容,确保了超快的开关速度,极大提升了系统的整体动态响应效率。采用紧凑的8-DFN(5x6)表面贴装封装,它不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的散热性能(最大功率耗散达31W @ Tc)更能保障芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作,适应从消费电子到工业环境的多样化需求。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时,遍布全球的授权AOS代理网络随时准备为您服务,确保您能便捷地获取这颗高性能芯片,并得到专业的应用支持。让AON6435成为您下一个成功设计的基石,开启高效、可靠、紧凑的电源管理新篇章。
- 型号:AON6435
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),34A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):21 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),31W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6435的官网价格:1:$1.16000|3000:$0.30338,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























