




AON6596
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
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AON6596参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的明星产品AON6596。它不仅仅是一个MOSFET,更是您实现高效能、高密度设计的得力引擎,以其卓越的电气特性和坚固的物理构造,为您的创新注入澎湃动力。
想象一下,在您的同步整流、电机驱动、负载开关或DC-DC转换电路中,需要一颗既能承载大电流又具备极低导通损耗的核心器件。AON6596正是为此而生。其N沟道设计和30V的漏源电压,为各类中低压应用提供了坚实的基础。无论是提升电源模块的转换效率,还是增强电机控制的响应速度,亦或是优化便携设备电池的续航能力,它都能游刃有余地融入其中,成为系统稳定运行的“心脏”。其紧凑的8-DFN封装,尤其适合空间受限的现代电子产品,让您在有限的主板面积内实现更强大的功能集成。
那么,为何众多工程师在关键时刻都选择信赖AON6596?答案在于它无可比拟的价值组合。首先,极低的7.5毫欧导通电阻(Rds(On))意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接为您带来更高的系统效率和更低的温升,这对于提升产品可靠性和寿命至关重要。其次,高达20A(环境温度)乃至35A(壳温)的连续漏极电流能力,赋予了它强大的功率处理潜能,轻松应对突发的电流峰值。再加上仅需4.5V的低驱动电压即可实现优异导通特性,以及出色的栅极电荷管理,它能显著降低开关损耗,让您的开关电源设计运行得更快、更冷、更安静。选择AON6596,就是选择了一份对性能的承诺和对品质的保障。如需获取官方正品与全面技术支持,我们推荐您联系权威的AOS总代理,确保您的项目一路畅通。
从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,确保了它在严苛环境下依然稳定如一。这颗集高性能、高可靠性、高性价比于一身的器件,目前正处于“最后抢购”阶段,机会难得。立即将AON6596纳入您的物料清单,让它成为您下一款明星产品中最闪耀的组件,共同开启高效能电子设计的新篇章!
- 型号:AON6596
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),35A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):5W(Ta),41W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
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