AON6266

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍这样一颗性能卓越的功率开关器件AON6266。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS AlphaMOS系列中的高效能代表，旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡稳定性。凭借其高达60V的漏源电压和惊人的30A连续漏极电流承载能力，它能够轻松驾驭严苛的功率转换任务，将能量损耗降至最低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源、通信基站，还是对空间和散热要求极高的笔记本电脑适配器、电动工具，AON6266都能完美融入。其紧凑的8-DFN封装（5x6）专为高密度PCB布局而生，在节省宝贵空间的同时，通过优异的导热设计确保了高达38W的功率耗散能力。这意味着在电机驱动、电池保护或负载开关等关键应用中，它能持续稳定工作，即使在-55°C至150°C的宽广结温范围内也游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了经得起时间考验的耐用性与适应性。

为何众多工程师信赖并选择AON6266？答案在于其无与伦比的性能价值比。极低的导通电阻（典型值仅15毫欧@10V）直接转化为更少的热量产生和更高的系统效率，让您的终端产品更凉爽、更节能。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，提升了整体响应性能。这一切卓越表现的背后，是AOS强大的技术创新实力与品质保证。若您正在寻找可靠的供应与技术支持，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您服务，确保您能便捷地获得这颗明星产品，并加速您的项目从设计到量产的进程。立即体验AON6266，开启高效、可靠的电能管理新篇章！

• 型号:AON6266
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A/30A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6266的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。