




AON6758_101
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6758_101参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AON6758_101。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是工程师应对严苛应用挑战的得力助手,以其卓越的性能参数,重新定义了30V级别功率开关的价值标杆。
想象一下,在您的同步整流、电机驱动或高密度DC-DC转换器中,需要一颗既能承载大电流又具备超低导通损耗的核心开关。AON6758_101正是为此而生。它隶属于高性能AlphaMOS系列,采用先进的MOSFET技术,在仅4.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通特性。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V Vgs、20A电流条件下,Rds(On)最大值仅为3.6毫欧,这意味着更少的能量以热的形式浪费,直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。无论是面对27A(Ta)的连续工作电流,还是高达32A(Tc)的峰值需求,它都能从容应对,确保动力输出的稳定与强劲。
这颗芯片的价值远不止于参数表。它集成了体肖特基二极管,为开关过程中的感性负载提供了快速、高效的续流路径,进一步提升了系统的整体可靠性。其紧凑的8-DFN(5x6)表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,非常适合高密度设计,而且优异的散热性能使其在-55°C至150°C的广阔结温范围内都能稳定工作。当您在设计新一代的服务器电源、电动工具、无人机电调或车载辅助系统时,选择AON6758_101就意味着选择了更长的电池续航、更小的散热器尺寸以及更安静、更凉爽的系统运行体验。我们作为值得信赖的AOS一级代理,深知这颗芯片在众多成功案例中扮演的关键角色,并随时准备为您提供从选型到量产的全方位支持。
为何众多领先企业将AON6758_101作为首选?答案在于它精准地平衡了性能、效率与成本。极低的栅极电荷(Qg最大值40nC @10V)和输入电容,意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的开关电源轻松工作在高频模式,从而可以使用更小、更便宜的磁性元件。从工业自动化到消费电子,从通信设备到新能源应用,它的高可靠性和卓越性能已经过市场严苛验证。选择AON6758_101,不仅是选择了一颗顶级的功率MOSFET,更是选择了一个能显著提升您产品市场竞争力的强大引擎。让我们携手,用这颗高效能芯片,为您的下一个创新设计注入澎湃动力!
- 型号:AON6758_101
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A(Ta),32A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1975 pF @ 15 V
- FET 功能:肖特基二极管(体)
- 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),41W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- AON6758_101的官网价格:3000:$0.35574,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























