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AON6370

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6370参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AON6370一款由AOS精心打造的N沟道功率MOSFET,它不仅仅是一个开关,更是您释放系统潜能、实现高效能转换的关键引擎。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理特性,AON6370正蓄势待发,准备为您的下一代产品注入澎湃动力。

想象一下,在您的电源管理模块、电机驱动控制或负载开关应用中,需要一颗能够承受高达30V电压、瞬间迸发强劲电流的开关器件。这正是AON6370大显身手的舞台。它高达47A(Tc)的连续漏极电流承载能力,配合低至7.2毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是驱动高功率的直流电机,还是在紧凑的DC-DC转换器中实现高效率的同步整流,它都能确保能量以最“冷静”的方式顺畅流通,让您的设备运行得更持久、更稳定。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,更是赋予了它应对严苛环境挑战的非凡勇气。

那么,在众多选择中,为何独独青睐AON6370?答案在于它对“效率”与“控制”的完美平衡。4.5V的低驱动电压门槛,让它在现代低电压逻辑电路中也能被轻松、精准地驱动,大大简化了您的驱动电路设计。同时,极低的栅极电荷(仅13nC @ 10V)和输入电容,确保了超快的开关速度,显著降低了开关过程中的动态损耗,这对于高频开关应用至关重要。这意味着,选择AON6370,您不仅获得了一颗性能强悍的MOSFET,更获得了一套提升系统整体效率、优化热管理和简化设计的综合解决方案。为了确保您能获得原厂品质的正品芯片与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方指定的AOS授权代理进行采购。

封装在紧凑的8-DFN(5x6)表面贴装封装内,AON6370在提供强大功率处理能力的同时,也为您的PCB布局节省了宝贵的空间。虽然该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计、经过市场验证的可靠性,以及可能存在的库存或替代方案咨询,依然使其成为许多经典或特定项目设计中值得考虑的优质选项。让AON6370成为您可靠的能量守门员,开启高效、稳健的产品新篇章。

  • 型号:AON6370
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Ta),47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):840 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),26W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6370的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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