AON6764

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗强大的核心器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款在功率转换与管理应用中表现卓越的明星产品AON6764。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET，以其高达85A的连续漏极电流和仅为2.8毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的功率处理能力与能效表现。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统性能、降低能量损耗、实现设计精简化的得力助手。

想象一下，在您的服务器电源、高性能显卡的VRM（电压调节模块）、或是高密度DC-DC转换器中，AON6764能够轻松应对大电流的严苛挑战。其30V的漏源电压和优化的开关特性，使其成为同步整流、电机驱动、负载开关等应用的理想选择。无论是需要快速响应的便携式设备，还是要求长期稳定运行的工业设备，它都能凭借其出色的热性能（最大功率耗散42W）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保系统在各种环境下稳定运行，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择AON6764，就是选择了一份安心与高效。其紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其依然是许多经典和特定设计中的优选。若您正在寻找可靠的供货渠道与技术支持，我们的AOS总代理将为您提供全面的服务与支持。让AON6764成为您下一个成功设计的强大引擎，以更低的导通损耗、更高的开关频率和更强的驱动能力，助您轻松驾驭功率，释放无限潜能。

• 型号:AON6764
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 1 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2120 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6764的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。