AOW292

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您带来一款能够重新定义性能边界的卓越选择AOW292。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，以其高达100V的耐压和惊人的105A连续漏极电流承载能力，为您的高功率应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在那些对效率和稳定性要求严苛的场景中，AOW292将如何大放异彩。无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停和负载波动的严酷考验，还是服务器电源和通信设备电源中追求超高功率密度与转换效率的精密设计，它都能游刃有余。在新能源领域，如太阳能逆变器的DC-AC转换环节，或是电动汽车充电桩的功率模块中，其卓越的电气性能和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了系统在复杂环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的关键应用上了一道最可靠的保险。

那么，在众多选择中，为何AOW292能脱颖而出？其核心竞争力在于极致的低导通损耗与卓越的开关性能的完美平衡。仅4.1毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热量，直接提升了系统整体能效，并简化了散热设计。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，这对于降低开关损耗、提升频率、减小磁性元件体积至关重要。TO-262的封装形式提供了坚固的机械结构和出色的散热路径，让功率释放更无拘束。当您需要为下一个项目寻找值得信赖的功率解决方案时，与专业的AOS代理商合作，获取关于AOW292的详细技术支持与供应保障，无疑是迈向成功的第一步。让这颗高效、强健的“心脏”，驱动您的创新驶向更广阔的天地。

• 型号:AOW292
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW292的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。