AOD256_001

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOD256_001。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升产品性能、简化设计流程、确保长期稳定运行的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理封装，它能在复杂的工况下持续输出澎湃而精准的动力，让您的创意设计毫无后顾之忧地转化为市场领先的产品。

想象一下，无论是需要高效电能转换的开关电源、电机驱动，还是对空间和散热有严苛要求的紧凑型消费电子设备，AOD256_001都能游刃有余。其高达150V的漏源电压和出色的电流处理能力（Tc条件下可达19A），让它成为中高功率应用的理想选择。在电源管理模块中，它能有效降低开关损耗，提升整体能效；在电机控制回路里，其快速的开关响应确保了精准的扭矩与速度控制。即便面对工业自动化设备中频繁的启停和负载变化，它也能凭借优异的散热性能和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，保持稳定如一的表现。

选择AOD256_001，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。其TO-252（D-Pak）封装不仅提供了优异的功率耗散能力（Tc下高达83W），更兼顾了表面贴装的便利性与生产自动化需求。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其成为许多经典产品升级或维护的优选方案。库存与供货事宜，我们建议您直接咨询官方AOS授权代理，以获取最准确的渠道信息与技术支持。让这颗凝聚了AOS尖端MOSFET技术的芯片，继续为您的项目注入强劲而可靠的核心动力，助您在激烈的市场竞争中始终领先一步。

• 制造商产品型号：AOD256_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：150V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 75V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD256_001的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。