




AON7264E
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON7264E参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够重新定义您设计标准的明星产品AON7264E。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是AOS公司AlphaSGT技术家族的杰出代表,以其卓越的性能参数,为您的电源管理、电机驱动和负载开关应用注入澎湃动力与非凡稳定性。选择它,就是选择为您的产品配备一颗强劲而可靠的“心脏”。
想象一下,在紧凑的无人机电调中,需要瞬间响应控制信号,实现精准的电机调速与姿态控制;在高效的车载充电器(OBC)或DC-DC转换模块里,需要在高温环境下持续稳定工作,确保能源转换效率最大化;又或者在工业自动化设备的伺服驱动中,要求器件能够承受频繁的开关动作,保证生产线的连续可靠运行。AON7264E正是为这些严苛场景而生。其60V的漏源电压和高达28A的连续漏极电流,赋予了它强大的功率处理能力,轻松应对各种中高功率应用挑战。而低至9.5毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗,直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率,让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。
那么,在众多同类产品中,为何AON7264E值得您优先考虑?答案在于它在性能、可靠性与易用性之间取得的完美平衡。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,让您的系统工作频率可以更高,动态响应更迅捷。宽广的-55°C至150°C工作结温范围,配合27.5W的强大散热能力,使其无惧恶劣环境,保障了产品在全生命周期内的稳定运行。此外,采用先进的8-DFN-EP(3x3)封装,在提供优异散热性能的同时,极大节省了宝贵的PCB空间,非常适合当今高密度集成的设计需求。为了确保您能稳定、便捷地获得这颗优质芯片及其完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购,这不仅是品质的保证,更是项目顺利推进的坚实后盾。选择AON7264E,就是选择了一份值得信赖的性能承诺,它将助您打造出更高效、更紧凑、更具市场竞争力的新一代电子产品。
- 型号:AON7264E
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN-EP(3x3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 17A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1100 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):27.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- AON7264E的官网价格:5000:$0.30492,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























