




AON7401_101
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON7401_101参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在电源管理、负载开关等应用中表现非凡的明星产品AON7401_101。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是您提升系统性能、简化设计流程、确保长期稳定运行的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理封装,它能在严苛的工作条件下游刃有余,将高效能与高可靠性完美融合,为您的创新构想注入强劲动力。
想象一下,在您的便携式设备中,需要一颗能够高效管理电池供电、实现快速负载切换的开关;在您的服务器电源或通信设备中,需要一颗能够承受高浪涌电流、确保系统稳定启动的守护者;甚至在您的工业控制模块中,需要一颗能在宽温范围内稳定工作、抵御恶劣环境的可靠元件。AON7401_101正是为这些挑战而生的。其30V的漏源电压和高达35A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种中压大电流场景。极低的导通电阻(低至14毫欧)意味着更少的能量损耗和发热,直接转化为更长的设备续航时间和更低的散热成本,让您的产品在能效比拼中脱颖而出。
为什么众多工程师在面临关键选型时,会毫不犹豫地选择AON7401_101?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其卓越的电气参数包括优化的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关特性,这对于追求高频高效的应用至关重要,能显著减少开关损耗,提升整体系统效率。其次,宽广的工作温度范围(-55°C至150°C结温)赋予了它极强的环境适应性,无论是严寒还是酷热,都能稳定运行,极大提升了终端产品的可靠性和使用寿命。最后,其紧凑的8-DFN-EP(3x3)封装不仅节省了宝贵的PCB空间,符合现代电子产品小型化的趋势,其增强型散热设计(EP)更能有效将芯片产生的热量导出,确保在高功率下持续稳定工作。选择它,就是选择了一份安心与高效。为确保您能获得原厂品质的正品芯片与完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购,为您的项目成功保驾护航。
- 制造商产品型号:AON7401_101
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta),35A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 9A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):39nC @ 10V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2600pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),29W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- AON7401_101的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























