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AON7522E

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7522E参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的明星产品AON7522E。它不仅仅是一个MOSFET,更是您实现高效能、高密度、高可靠性电源解决方案的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计,AON7522E旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,无论是提升能效、缩小体积还是增强系统稳定性,它都能提供令人信服的价值。

想象一下,在您的下一款高性能笔记本适配器、紧凑型游戏机电源、或是高要求的服务器VRM(电压调节模块)中,AON7522E将如何大放异彩。其30V的耐压和高达34A(Tc)的连续电流能力,使其成为同步整流、DC-DC转换和负载开关等关键应用的理想选择。在空间受限的便携式设备中,其微小的8-DFN(3x3)封装能帮助您最大限度地节省PCB面积,实现更轻薄、更时尚的产品设计。无论是应对消费电子产品的快速启停,还是满足工业设备在严苛环境下的稳定运行,AON7522E都能游刃有余,确保您的系统动力澎湃且运行如丝般顺滑。

选择AON7522E,就是选择了一份对卓越性能的坚定承诺。其超低的4毫欧导通电阻(Rds(On))意味着更少的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的温升,让您的产品更凉爽、更持久。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频开关应用,从而让整个电源拓扑的效率曲线更加平坦优异。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)赋予了它无与伦比的环境适应性,从酷寒到炙热,性能始终如一。如果您正在寻找一个可靠且高性能的解决方案,我们建议您联系专业的AOS代理商,获取详尽的技术支持和选型指导,让AON7522E的强大能力无缝融入您的创新蓝图。

  • 型号:AON7522E
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1540 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7522E的官网价格:1:$0.96000|5000:$0.21768,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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