AON7506

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义您对功率密度与性能认知的明星产品AON7506。这款由业界领先的AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）精心打造的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，正迅速成为工程师们在紧凑空间内实现高效能、高可靠电源解决方案的首选。它不仅是一颗元器件，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的得力助手。

想象一下，在您的手持设备、便携式储能电源、高密度服务器电源模块，或是任何需要高效DC-DC转换和负载开关的应用中，AON7506都能大显身手。其30V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流能力，为各种中低压、大电流场景提供了坚实的保障。无论是处理瞬间的功率峰值，还是在持续满载下稳定运行，它都能游刃有余。其超低的9.8毫欧导通电阻（在10V Vgs下），意味着更少的导通损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出，为用户带来更清凉、更持久的体验。

选择AON7506，就是选择了一份安心与远见。它采用先进的MOSFET技术，在仅3x3mm的8-DFN超小型封装内，实现了高达20.5W（Tc）的出色功率耗散能力，完美平衡了小型化与散热需求。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了开关损耗和EMI性能。当您需要可靠、高效且易于采购的功率解决方案时，通过值得信赖的AOS中国代理获取AON7506，无疑是加速您项目上市、提升产品竞争力的明智之举。让它成为您下一个爆款设计中，那颗默默奉献却至关重要的“心脏”。

• 型号:AON7506
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:542 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），20.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7506的官网价格：5000:$0.17094，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。