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AON7758

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 36A/75A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7758参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在众多应用中久经考验的经典之选AON7758。这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的AlphaMOS系列N沟道MOSFET,以其卓越的性能参数和坚固的可靠性,持续为工程师的设计注入强大动力。即便在官方状态标注为停产后,其卓越的品质和广泛的市场适用性,依然使其成为库存优选和特定高要求场景下的信赖之选,通过可靠的AOS总代理渠道,它依然能为您的项目保驾护航。

想象一下,在您的同步整流电路、电机驱动控制或是高密度DC-DC转换器中,需要一颗能够应对瞬间大电流、同时保持超低导通损耗的开关。这正是AON7758大显身手的舞台。其30V的漏源电压和高达36A(Ta)/75A(Tc)的连续漏极电流能力,让它能够轻松驾驭主流的中低压、大电流应用场景。无论是提升服务器电源的转换效率,还是确保电动工具电机的强劲输出,亦或是为车载逆变器提供稳定可靠的能量开关,AON7758都能以出色的表现,将电能高效、精准地输送到需要的地方,帮助您的终端产品在市场中脱颖而出。

选择AON7758,就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其核心魅力在于那令人惊叹的低导通电阻在10V驱动电压、20A电流下,最大值仅1.85毫欧。这意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。同时,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,确保了快速、干净的开关切换,既能减少开关损耗,也简化了您的驱动电路设计。采用紧凑的8-DFN-EP(3.3x3.3)封装,它在节省宝贵PCB空间的同时,凭借裸露焊盘(EP)实现了出色的散热性能,最大结温高达150°C,赋予了产品在严苛环境下稳定工作的强大底气。当您需要一颗性能强劲、稳定可靠的功率开关时,AON7758无疑是那个能让您设计更从容、产品更具竞争力的坚实伙伴。

  • 型号:AON7758
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 36A/75A 8DFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Ta),75A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.85 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5200 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),34W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • AON7758的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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