AOW11S60

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界中，每一次开关动作都至关重要。今天，我们为您带来一款能够重新定义性能标杆的功率器件AOW11S60。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和11A的强劲连续电流，为您的高压应用注入澎湃动力。它不仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、确保长期稳定运行的信心之选。

想象一下，在那些对效率和空间都极为苛刻的场景中，AOW11S60正大显身手。无论是工业电源中高效的能量转换，还是电机驱动里精准的功率控制，甚至是不断进化的充电桩和UPS（不间断电源）系统，它都能游刃有余。其TO-262的坚固封装，确保了在严苛环境下的出色散热与机械可靠性，让您的产品从容应对高负荷挑战。选择它，意味着为您的下一个开关电源设计、新能源逆变器或任何需要高压高效开关的场合，找到了一个坚实可靠的核心。

为什么众多工程师在关键设计中信赖AOW11S60？答案在于它精妙的性能平衡。399毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。同时，仅11nC的极低栅极电荷（Qg）显著降低了开关损耗，让高频高效运行成为可能。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它无与伦比的环境适应性。当您需要为项目寻找一个集高性能、高可靠性与高性价比于一身的解决方案时，AOW11S60无疑是那个值得您重点评估的选项。如需获取正品保障与专业的技术支持，请务必通过官方AOS授权代理进行采购。

• 型号:AOW11S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:178W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW11S60的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。