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AON7804_101

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-DFN(3x3)
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7804_101参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案AON7804_101。这款由AOS精心打造的MOSFET阵列,以其卓越的电气性能和坚固的可靠性,正成为众多工程师在电源管理、电机驱动等应用中的首选,帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在空间极其有限的便携式设备、高密度服务器主板或是需要高效散热管理的工业控制模块中,您需要同时驱动多个负载或进行高效的同步整流。AON7804_101正是为此而生。它将两个独立的N沟道MOSFET集成于一个纤薄的8-PowerSMD封装内,不仅节省了宝贵的PCB空间,更通过优化的内部布局降低了寄生参数,让您的电路布局更加简洁高效。其30V的漏源电压和高达22A(Tc)的连续漏极电流能力,意味着它能够轻松应对大多数中低压、大电流的应用场景,无论是作为负载开关还是电机驱动的核心,都能提供稳定而强劲的动力输出。

选择AON7804_101,就是选择了一份安心与高效。其低至21毫欧的导通电阻(最大值)意味着更低的导通损耗,直接转化为更少的发热和更高的系统效率,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频开关应用,让您的电源设计能够轻松达到更高的功率密度和转换效率。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)赋予了它无与伦比的环境适应性,无论是严寒还是酷热,都能稳定工作,极大提升了终端产品的可靠性和使用寿命。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和久经考验的性能,使其在特定存量市场和经典设计中依然具有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源和可靠的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

总而言之,AON7804_101不仅仅是一个MOSFET阵列,它是一个经过市场验证的高性能、高可靠性解决方案。它用紧凑的尺寸承载强大的功率处理能力,用卓越的电气参数保障系统的高效与稳定。当您下一次为项目寻找一颗既能节省空间又能扛起功率重任的“双核”开关时,请务必考虑这款经典之作,它将为您的创意注入强劲而可靠的动力。

  • 型号:AON7804_101
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),22A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):888pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:3.1W(Ta),17W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:8-DFN(3x3)
  • AON7804_101的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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