AONP36336

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，一颗强大的心脏往往决定了产品的最终高度。今天，我们为您隆重介绍AONP36336来自AOS的30V双非对称N沟道MOSFET阵列。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、征服严苛应用场景的得力引擎。想象一下，将高达50A的连续电流承载能力与低至4.7毫欧的导通电阻融为一体，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的设备在性能与发热之间找到完美平衡点，无论是满负荷运行还是待机状态，都能游刃有余。

这颗芯片的舞台无比广阔。从需要高密度电源管理的服务器和通信设备，到对空间和效率都极为敏感的笔记本电脑与超薄适配器；从动力澎湃的电动工具、无人机，到精密的汽车电子系统，AONP36336都能以其卓越的双非对称通道设计，灵活应对同步整流、电机驱动、负载开关等多样的电路拓扑需求。其高达150°C的结温工作范围和坚固的8-PowerVDFN封装，确保了在-55°C至150°C的极端温度环境下依然稳定可靠，为您的产品提供从实验室到真实世界的全周期保障。

选择AONP36336，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它继承了AOS在功率半导体领域深厚的创新基因，将先进的MOSFET技术浓缩于方寸之间。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加敏捷，整体能效再上新台阶。当您寻求可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的AOS一级代理合作，不仅能确保您获得正品货源与有竞争力的价格，更能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的产品创新之路畅通无阻。立即将AONP36336纳入您的设计，体验它如何以微小身躯，迸发出驱动未来的巨大能量。

• 型号:AONP36336
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• AONP36336的官网价格：1:$1.90000|3000:$0.51527，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。