AONR21117

在追求极致能效与可靠性的电子设计前沿，一颗强大的功率管理核心往往能成为产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍一款能够重新定义电源路径效率与设计自由度的卓越解决方案AONR21117。这款由AOS精心打造的P沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师应对严苛应用挑战的得力助手，它不仅是一颗元器件，更是您产品实现高效、紧凑与可靠运行的强大引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式储能电源或高密度服务器主板上，空间寸土寸金，散热条件苛刻，而系统的稳定运行又容不得半点妥协。AONR21117正是为此而生。其高达34A（Tc）的连续漏极电流承载能力和低至4.8毫欧的导通电阻，意味着在负载切换和电源路径管理中，它能将能量损耗降至极低，显著减少热量产生，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是用于系统负载开关、电池保护电路，还是电机驱动中的反向电流阻断，它都能提供干净利落的开关动作和极低的压降，确保每一分电力都被高效利用。

选择AONR21117，就是选择了一份从容与信心。其紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，完美契合现代电子产品小型化的趋势，为您的PCB布局节省宝贵空间。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对极端环境温度波动的强大韧性，保障设备从严寒到酷暑都能稳定工作。更值得一提的是，其优化的栅极电荷（Qg）和驱动电压特性，让驱动电路设计更为简单，能够轻松匹配主流控制器，加速您的产品开发进程。当您需要可靠的技术支持和便捷的供应链服务时，我们的合作伙伴AOS中国代理将为您提供从选型到量产的全方位支持。让AONR21117成为您下一个明星产品的“心脏”，与我们一同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:AONR21117
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26.5A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6560 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），43W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR21117的官网价格：1:$1.69000|5000:$0.42652，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。