AONR34332C

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心能够彻底改变您的设计格局。今天，我们为您带来AONR34332C这不仅仅是一颗MOSFET，更是您通往更高性能、更紧凑设计的钥匙。它以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，重新定义了30V级别功率开关的可能性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，在您的同步整流电路中，开关损耗被大幅削减，系统温升显著降低；在您的电机驱动或负载开关应用里，响应速度更快，控制更为精准。这正是AONR34332C能够为您带来的真实场景。其N沟道设计和高达50A的连续漏极电流能力，使其成为DC-DC转换器、电动工具、无人机电调以及各类高密度电源模块的理想心脏。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作，它都展现出令人信赖的坚韧品质，确保您的终端产品在各种环境下都能持续稳定输出澎湃动力。

选择AONR34332C，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它极低的1.8毫欧导通电阻，意味着更少的导通损耗和更高的整体能效，直接为您节省运营成本并提升产品续航。优化的栅极电荷与输入电容，让开关过程干净利落，显著降低驱动损耗和电磁干扰，简化您的电路设计。采用先进的8-DFN-EP封装，在提供强大散热能力（峰值功率耗散高达83.3W）的同时，占板面积却极小，完美契合当今电子产品小型化、集成化的潮流。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件时，通过值得信赖的AOS总代理进行采购，不仅能确保获得原装正品和全面的技术支持，更能为您的供应链稳定保驾护航。让AONR34332C成为您下一个成功设计的强大基石，开启能效与性能的新篇章。

• 型号:AONR34332C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A/50A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AONR34332C的官网价格：3000:$0.53506，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。