AONR36368

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AONR36368，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了30V应用场景下的功率开关标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力引擎。

想象一下，在您的同步整流、电机驱动或高密度DC-DC转换器中，需要一颗既能承载大电流又具备极低导通损耗的开关。AONR36368正是为此而生。它拥有高达32A（Tc）的连续漏极电流能力和低至5毫欧的导通电阻，这意味着在相同的电流下，它能将更多的能量传递给负载，而非浪费在自身发热上。无论是让无人机电机响应更迅猛，还是让服务器电源效率再攀新高，它都能轻松应对，确保系统运行更冷静、更持久。

其优势不仅体现在静态参数上。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低。这对于高频开关应用至关重要，能让您的电源设计在追求高效率的同时，依然保持出色的动态响应。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和坚固的8-DFN-EP封装，赋予了它无与伦比的环境适应性与散热能力，即使在严苛条件下也能稳定工作，极大提升了终端产品的可靠性与寿命。

选择AONR36368，就是选择了一份值得信赖的性能保障。它完美平衡了性能、尺寸与成本，是工程师在有限空间内实现高性能设计的理想解决方案。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的AOS代理网络随时准备为您服务，确保您的创新之旅畅通无阻。立即将AONR36368纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越的能效和可靠性，为您的产品注入强大动力，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:AONR36368
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1305 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR36368的官网价格：1:$0.87000|5000:$0.19360，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。