AONX38168

在追求极致能效与紧凑设计的电子时代，一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AONX38168，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的XSPairFET系列双非对称N沟道MOSFET阵列，正是为应对严苛挑战而生的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的强大引擎。凭借其卓越的电气特性和创新的封装技术，它正重新定义着功率转换的边界，让您的设计脱颖而出。

想象一下，在您的手持设备、笔记本电脑适配器或高性能服务器电源中，空间是何等珍贵。AONX38168以其独特的双非对称结构，完美适配同步整流和DC-DC转换拓扑中的高边与低边开关角色。高达25V的漏源电压和惊人的低导通电阻（最低仅0.8毫欧），意味着在驱动大电流时，它能将功率损耗降至最低，从而显著提升整体效率并减少发热。无论是处理瞬间的高负载冲击，还是在持续运行中保持稳定，它都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了从消费电子到工业应用的广泛适应性，让您的产品在各种环境下都坚若磐石。

那么，在众多选择中，为何AONX38168是您的不二之选？答案在于它带来的综合价值飞跃。它将两个性能优化的MOSFET集成于微小的8-PowerVDFN封装内，不仅节省了超过50%的PCB面积，还简化了布局与组装流程。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，频率可以做得更高。选择它，就是选择了更高的功率密度、更优的热管理和更长的产品寿命。为了确保您能稳定、便捷地获得这颗明星产品及其全面的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的AOS一级代理进行采购，从而保障货源的正品性与供应的可靠性。立即采用AONX38168，让它成为您下一代创新产品的强大心脏，共同开启高效、紧凑的电源设计新篇章！

• 型号:AONX38168
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 25V 25A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），62A（Tc），50A（Ta），85A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A，1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 10V，85nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150pF @ 12.5V，4520pF @ 12.5V
• 功率 - 最大值:3.1W（Ta），20W（Tc），3.2W（Ta），69W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AONX38168的官网价格：3000:$1.23970，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。