AOT10N65

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往决定了整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越力作AOT10N65。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您应对高压、高功率挑战的可靠伙伴，以其650V的卓越耐压能力和高达10A的连续漏极电流，为您的设计注入澎湃动力与坚实保障。想象一下，在严苛的应用环境中，它依然能保持稳定高效的性能，让您的产品脱颖而出，赢得市场的信赖。

无论是工业电源、电机驱动、UPS不间断电源，还是新能源领域的太阳能逆变器和充电桩，AOT10N65都能大显身手。其N沟道设计和优化的导通电阻（低至1欧姆@5A,10V），意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接帮助您降低系统发热，提升能源利用率。在需要快速开关的场合，其优异的栅极电荷特性（Qg最大值33nC）确保了快速的响应速度，让您的系统动态性能更加出色。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能稳定运行。

选择AOT10N65，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与高性价比。AOS作为全球知名的半导体制造商，其产品以高可靠性和一致性著称。这颗采用经典TO-220封装的器件，不仅功率耗散能力高达250W，便于散热设计，其通孔安装方式也兼容广泛的生产工艺，能有效降低您的供应链与制造成本。当您致力于打造高效、耐用且具有竞争力的电力电子产品时，AOT10N65无疑是您理想中的基石元件。为了确保您获得正品保障与完善的技术支持，我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购，为您的项目成功再添一道保险。

• 型号:AOT10N65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT10N65的官网价格：1000:$0.85316，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。