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AON7380

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7380参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor)的明星产品AON7380。它不仅仅是一个参数表上的组件,更是您提升系统性能、降低整体能耗、并最终赢得市场的强大引擎。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AON7380正重新定义着中低压应用场景下功率管理的标准,为工程师们带来前所未有的设计自由度和信心保障。

想象一下,在您的下一款高性能笔记本电源适配器中,需要一颗既能承受高瞬态电流又能保持低温运行的MOSFET;在紧凑的无人机电调或机器人驱动板上,空间极其宝贵,却对功率密度和散热提出了严苛要求;又或者,在日益流行的电动工具、便携储能设备中,效率和可靠性直接关乎用户体验与品牌口碑。这些正是AON7380大展身手的舞台。其30V的漏源电压和高达24A的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种DC-DC转换、电机驱动和负载开关挑战。无论是同步整流的下管,还是H桥电路中的关键一臂,AON7380都能以极低的导通损耗和出色的开关性能,确保能量高效、平滑地传递,让您的终端产品动力澎湃且持久耐用。

那么,在众多同类产品中,为何AON7380能脱颖而出,成为您的明智之选?答案藏在细节之中。首先,其超低的6.8毫欧导通电阻(在10V Vgs, 20A条件下)意味着更少的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的温升,这对于提升产品寿命和可靠性至关重要。其次,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得驱动它变得异常轻松,既能减少驱动电路的负担,又能实现更快的开关速度,进一步提升整体频率响应和动态性能。最后,AOS先进的AlphaMOS技术和坚固的8-DFN(3x3)封装,在提供卓越散热能力(最大功率耗散达24W @ Tc)的同时,保持了极小的占板面积,完美契合现代电子产品小型化、高集成的趋势。选择AON7380,就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。如需获取官方正品与专业技术支持,我们推荐您通过授权的AOS一级代理进行采购,以确保产品源头品质与供应链安全。

  • 型号:AON7380
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):825 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),24W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7380的官网价格:5000:$0.17248,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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