AOT2N60

在追求高效与可靠的电源管理解决方案的道路上，一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AOT2N60。这款N沟道MOSFET以其高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，为您构筑起一道坚固的电力防线，让您的设计在高压环境下依然游刃有余，稳定运行。

想象一下，无论是开关电源（SMPS）中的高效功率转换，还是电机驱动控制中的精准调速，亦或是照明系统中对LED阵列的稳定供电，AOT2N60都能完美胜任。它那仅4.4欧姆的低导通电阻（在1A，10V条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效，让您的产品在节能环保的赛道上领先一步。其紧凑的TO-220封装和通孔安装方式，不仅为工程师提供了灵活的布局选择，也确保了出色的散热性能，轻松应对高达74W的功率耗散挑战。

为什么众多工程师在面临高压、中电流应用选型时，会毫不犹豫地选择AOT2N60？答案在于它卓越的综合价值。高达±30V的栅源电压容限提供了宽裕的设计余量，而低至11.4nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗，让开关频率得以提升，系统响应更加迅捷。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然可靠如一。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一体的功率MOSFET时，请务必通过官方授权的AOS总代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:AOT2N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT2N60的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。