AOT3N60

在追求高效与可靠的电源管理世界中，一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场考验的经典功率器件AOT3N60。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建稳定、高效电源系统的坚实基石。凭借其高达600V的漏源电压和2.5A的连续电流能力，它能在严苛的电气环境中游刃有余，将高耐压与可靠导通完美结合，为您带来前所未有的设计信心与产品价值。

想象一下，在您的开关电源、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制或是高效照明镇流器中，AOT3N60正发挥着核心作用。它那仅3.5欧姆的低导通电阻（在1.25A，10V条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率。TO-220的经典封装形式，不仅提供了优异的散热性能，支持高达83W的功率耗散，也让它在生产线上易于安装和焊接，大大简化了您的制造流程。无论是应对工业环境的持续运行，还是满足消费电子对空间和能效的双重要求，它都能轻松胜任，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择AOT3N60，就是选择了一份经过时间验证的可靠性与性价比。虽然它已进入停产状态，但其成熟的工艺、稳定的性能以及广泛的市场应用基础，使其成为许多经典设计或特定备品需求的理想选择。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的设备在极端环境下依然稳定工作。当您需要为现有产品线寻找可靠的功率解决方案或进行备货时，AOT3N60无疑是一个经过千锤百炼的明智之选。我们作为值得信赖的AOS中国代理，致力于为您提供专业的技术支持与供应链服务，帮助您将这颗经典芯片的价值最大化，赋能您的每一个创新项目。

• 型号:AOT3N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT3N60的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。