AOT4N60

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计前沿，一颗卓越的功率开关器件往往是决定项目成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS的明星产品AOT4N60。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升系统性能、简化设计流程、并最终赢得市场的强大助力。凭借其出色的600V耐压与4A电流处理能力，这颗N沟道MOSFET为您打开了通往高效、紧凑且成本优化的电源解决方案的大门。

想象一下，无论是您正在开发的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动、照明镇流器或工业电源系统，AOT4N60都能在其中扮演核心的开关角色。其高达104W的功率耗散能力，结合经典的TO-220封装，确保了在严苛工况下的卓越散热表现与长期稳定性。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，意味着它能够从容应对从寒冷户外到高温机箱内的各种环境挑战，让您的产品无惧地域与季节的考验，可靠运行。

那么，在众多同类产品中，为何众多工程师对AOT4N60青睐有加？答案在于其精心优化的性能平衡。2.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下即可实现，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接为您节省能源成本。同时，仅18nC的栅极电荷（Qg）和615pF的输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的驱动损耗，让开关频率可以更高，磁性元件可以更小，从而助力实现更紧凑、更轻量化的终端产品设计。这种在导通损耗与开关损耗之间的精妙权衡，正是AOS深厚技术底蕴的体现。

选择AOT4N60，就是选择了一份来自全球知名功率半导体品牌AOS的品质承诺。它不仅仅是一个元器件，更是您产品竞争力提升的可靠基石。我们致力于将这样的卓越产品带给每一位中国工程师，如需获取详细技术资料、样品或采购支持，欢迎随时联系我们的AOS中国代理，我们的专业团队将为您提供全方位的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:AOT4N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT4N60的官网价格：1:$1.80000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。