AOB15S65L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB15S65L来自AOS aMOS系列的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、突破设计瓶颈的关键引擎。凭借高达650V的漏源电压和15A的连续漏极电流承载能力，它天生就是为应对严苛的高压环境而生，为您的高功率应用注入澎湃而稳定的动力。

想象一下，在您精心设计的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，AOB15S65L正扮演着能量高效转换的核心角色。它卓越的电气特性，例如在10V驱动电压下仅290毫欧的超低导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统整体效率和更低的运营成本。其TO-263（DPak）封装不仅提供了优异的散热性能，确保在高达208W的功率耗散下依然稳定工作，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，让您的制造流程更流畅、更可靠。无论是应对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能坚守岗位，保障设备在各种极端环境下长效稳定运行。

选择AOB15S65L，就是选择了一份经市场验证的卓越与安心。它代表了AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀，aMOS系列一贯的高品质和可靠性已赢得全球工程师的信赖。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于众多需要维护、升级或寻找成熟可靠解决方案的现有项目而言，它依然是无可替代的优选。当您需要为关键应用寻找这颗性能标杆时，可以联系专业的AOS中国代理，获取权威的技术支持与供货保障，让您的产品竞争力从此大不相同。

• 型号:AOB15S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:841 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB15S65L的官网价格：1:$4.07000|800:$1.57303，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。