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AOT8N65

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOT8N65参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能彻底改变您的设计格局。今天,我们隆重向您介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOT8N65。这不仅仅是一颗MOSFET,它是您应对650V高压、8A大电流挑战的坚实后盾,是助力您的产品在激烈市场中脱颖而出的性能引擎。其卓越的电气特性和坚固的物理设计,旨在将效率、稳定性和功率密度提升到一个全新高度,让每一次能量转换都更加精准、高效。

想象一下,无论是工业级开关电源、不间断电源(UPS)、电机驱动,还是高要求的照明镇流器和功率因数校正(PFC)电路,AOT8N65都能无缝融入,成为系统的“心脏”。它那高达650V的漏源电压耐受力,让您在应对电网波动和感性负载关断尖峰时充满信心;而8A的连续电流处理能力,则确保了在大功率传输下的持续稳定运行。这意味着,从工厂自动化设备到数据中心的关键供电,从新能源逆变到高端家电,这颗芯片都能提供您所期待的顶级性能和 unwavering 可靠性。

那么,在众多同类产品中,为何独独选择AOT8N65?答案在于其精妙的平衡艺术。它拥有极低的导通电阻(Rds(on)),在10V驱动下仅1.15欧姆,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,让您的系统运行更凉爽、寿命更长久。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,显著降低了开关损耗,提升了整体频率响应,让开关动作干净利落。封装于经典的TO-220外壳中,它不仅提供了出色的散热路径(支持高达208W的功率耗散),其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。选择AOT8N65,就是选择了一份由尖端技术与严苛品控共同铸就的安心保障。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道,我们作为官方授权的AOS一级代理,将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。

总而言之,AOT8N65代表了高压MOSFET领域的一个可靠标杆。它将AOS先进的MOSFET技术凝聚于一身,以卓越的参数和久经考验的稳定性,静候您的召唤,去点亮灵感,驱动创新,并最终成就那些更高效、更强大、更值得信赖的下一代电子产品。

  • 型号:AOT8N65
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.15 欧姆 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):208W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • AOT8N65的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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