




AOTF11N62L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOTF11N62L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义高性能电源与电机驱动方案的明星产品AOTF11N62L。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统效率、增强产品竞争力、实现设计自由度的强大引擎。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理结构,它正蓄势待发,准备为您的下一个创新项目注入澎湃动力。
想象一下,在您精心设计的开关电源、功率因数校正(PFC)电路或电机驱动器中,AOTF11N62L如同一位沉默而高效的指挥官。它那高达620V的漏源电压(Vdss)和11A的连续漏极电流能力,让它能够从容应对工业环境中的电压波动和重载挑战,为系统构筑起坚实的第一道防线。无论是服务器电源需要的高效电能转换,还是电动工具所要求的瞬间大电流爆发,亦或是UPS不间断电源所依赖的长期稳定运行,这颗芯片都能游刃有余,确保能量以最小的损耗、最高的可靠性进行传递,让您的终端设备性能脱颖而出,运行更安静、更凉爽、更持久。
那么,在众多同类产品中,为何AOTF11N62L能成为您的明智之选?答案藏在细节之中。其低至650毫欧的导通电阻(Rds(on))意味着更低的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生,让您在设计散热方案时拥有更大的余量。同时,优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速且干净的开关动作,这不仅减少了开关损耗,还能简化您的驱动电路设计,让整个系统运行得更快、更精准。采用坚固的TO-220-3F封装,它提供了出色的功率耗散能力(高达39W)和便捷的通孔安装方式,从实验室原型到大规模量产,都能保证一致的性能和可靠的连接。选择它,就是选择了一份由AOS先进技术背书的质量承诺。为了确保您能获得原厂正品与全面的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购,为您的项目成功加上双保险。
总而言之,AOTF11N62L是性能、可靠性与价值的完美融合。它不仅仅是一个组件,更是您实现能效目标、缩短开发周期、打造市场领先产品的战略伙伴。现在就让它成为您设计蓝图中的核心,共同开启高效电能管理的新篇章。
- 型号:AOTF11N62L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):650 毫欧 @ 5.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):37 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1990 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):39W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF11N62L的官网价格:1000:$0.51762,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























