AOTF12N30

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOTF12N30这不仅仅是一个MOSFET，更是您应对高压、高电流挑战的得力伙伴，是驱动未来创新的核心动力。它融合了AOS顶尖的半导体技术，旨在将复杂的功率管理变得简单、高效且无比可靠，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率照明镇流器等关键应用中，系统需要稳定处理高达300V的电压和11.5A的连续电流。这正是AOTF12N30大显身手的舞台。其N沟道设计和优化的MOSFET结构，确保了在严苛工况下的快速响应与低损耗切换。无论是工业自动化产线上精准控制的电机，还是数据中心里保障电力不间断的备份系统，这颗芯片都能提供坚实的性能基石，让设备的运行如丝般顺滑，效率大幅提升，同时将发热和能量浪费降至最低。

选择AOTF12N30，就是选择了一份放心的保障与显著的价值提升。它极低的导通电阻（仅420毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的能效和更低的运营成本。优异的栅极电荷特性使其开关速度更快，驱动更轻松，让您的电路设计更加游刃有余。TO-220-3F的经典封装提供了卓越的散热能力和通孔安装的便利性，确保在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。让AOTF12N30成为您下一个成功项目的强大引擎，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:AOTF12N30
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:36W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF12N30的官网价格：1000:$0.58472，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。