AOTF2618L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOTF2618L。这款N沟道MOSFET以其卓越的性能参数，重新定义了60V电压等级下功率开关的标准，旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡稳定性。想象一下，将更高的电流承载能力、更低的导通损耗以及更宽的工作温度范围融为一体，这正是AOTF2618L为您带来的核心价值，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的得力伙伴。

无论是工业自动化中驱动电机的高效运转，还是通信电源里需要稳定可靠的DC-DC转换，亦或是新能源领域如太阳能逆变器对效率的苛刻要求，AOTF2618L都能游刃有余，大显身手。其高达22A（Tc）的连续漏极电流和低至19毫欧的导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗被降至极低，系统整体能效显著提升，让您的设备运行更凉爽、更持久。从-55°C到175°C的宽广结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，无论是北方的严寒还是设备内部的热点，它都能从容应对，极大拓展了您的产品应用疆界。

选择AOTF2618L，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。AOS深厚的半导体技术积淀，赋予了这颗芯片坚固的品质内核。经典的TO-220-3F封装不仅提供了优异的散热性能，便于安装，也经过了无数应用的考验。当您在设计下一代电源模块、电机控制器或任何需要高效功率管理的方案时，集成AOTF2618L意味着您拥有了一个高性能、高可靠性的基石。我们与值得信赖的AOS中国代理紧密合作，确保您能便捷地获得正品货源与全面的技术支持，让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始，一路畅行无阻，最终赢得客户的广泛赞誉与市场的持久成功。

• 型号:AOTF2618L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），23.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF2618L的官网价格：1:$1.90000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。