




AOTF15S60L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOTF15S60L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的卓越之作AOTF15S60L。这款采用先进aMOS技术的N沟道MOSFET,不仅仅是一个参数表上的组件,更是您提升系统性能、降低整体能耗、并确保长期稳定运行的得力伙伴。它集高耐压、大电流与卓越的开关特性于一身,旨在为您的设计注入澎湃而精准的动力。
想象一下,在您精心设计的开关电源、电机驱动或功率因数校正(PFC)电路中,AOTF15S60L正扮演着能量流“智能开关”的核心角色。其高达600V的漏源电压和15A的连续电流能力,让它从容应对工业级AC-DC电源、不间断电源(UPS)、变频器乃至电动工具等严苛应用场景中的电压应力与电流冲击。无论是需要高效进行能量转换的服务器电源,还是要求快速响应与精准控制的BLDC电机驱动器,这颗芯片都能以其低导通电阻和优化的栅极电荷,显著减少开关损耗和导通损耗,让您的系统运行更凉爽、效率更高,从而直接转化为产品的市场竞争力和用户的长期价值。
那么,在众多同类产品中,为何AOTF15S60L值得成为您的首选?答案在于它为您带来的综合价值超越。首先,其TO-220-3F封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性和散热性能,还兼容广泛的生产工艺。其次,AOS在功率半导体领域的深厚积淀,确保了这颗芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内都能保持稳定的性能,极大地增强了您终端产品在各种环境下的适应性和耐用性。更低的栅极电荷意味着您可以选用更小、更经济的驱动电路,而优异的Vgs(th)特性则提升了抗干扰能力,简化了系统设计。选择它,就是选择了一份经过验证的可靠性与高效率的承诺。如果您正在寻找稳定可靠的供应渠道,遍布全球的AOS代理商网络将为您提供从样品到批量生产的全方位支持,让您的创新之旅畅通无阻。
- 型号:AOTF15S60L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3F
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):717 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):27.8W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF15S60L的官网价格:1:$4.00000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























