AOD21357

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义您电源管理方案性能边界的明星产品AOD21357。它不仅仅是一个P沟道MOSFET，更是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）尖端技术与卓越工艺的结晶，专为应对严苛的高电流、高效率应用挑战而生。想象一下，将高达70A的连续电流掌控于方寸之间，同时享受低至8毫欧的超低导通电阻所带来的极低损耗，这意味着您的系统将获得前所未有的能效提升和温升控制，让产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是需要强劲动力和智能保护的电动工具、无人机，还是对空间和散热极为敏感的笔记本电脑主板、服务器电源模块，甚至是日益精密的汽车辅助系统与电池管理系统（BMS），AOD21357都能游刃有余，成为您值得信赖的“能量阀门”。其30V的漏源电压和宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在多变环境下的稳定性和耐久性。采用TO-252（DPAK）封装，在提供出色散热能力的同时，也完美兼顾了PCB布局的紧凑性，让您的设计更加灵活自由。

选择AOD21357，就是选择了一份安心的保障与显著的性能跃升。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，能显著提升整体系统的响应速度与效率。这份卓越并非遥不可及，通过官方AOS授权代理，您可以便捷地获得正品货源、全面的技术资料以及专业的本地化支持服务。让我们携手，用AOD21357的强大内核，为您的下一个创新项目注入澎湃而高效的动力，共同开启能效新时代。

• 型号:AOD21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD21357的官网价格：1:$1.41000|2500:$0.36966，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。