




AOTF2610L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
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AOTF2610L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们隆重向您介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOTF2610L。这款N沟道MOSFET以其卓越的性能参数,重新定义了60V电压等级下功率开关的标准,旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡的稳定性。想象一下,一个能同时兼顾高电流承载能力、超低导通损耗和出色热管理性能的解决方案,它将如何彻底改变您的电源转换、电机驱动或负载开关应用?答案就在AOTF2610L之中。
无论是工业自动化中需要精准控制的伺服驱动器,还是数据中心里要求24/7不间断运行的高效服务器电源;无论是新能源领域的光伏逆变器,还是消费电子中日益强化的快充电路,AOTF2610L都能游刃有余,扮演着能量高效流转的“守门人”角色。其高达35A(Tc)的连续漏极电流能力,意味着它能轻松应对瞬间大电流的冲击,确保系统在重载下依然稳健运行。而低至10.7毫欧的导通电阻,直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生,这不仅提升了整体能效,也让您的散热设计变得更加简单,系统体积得以进一步优化。宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是赋予了它适应严苛环境挑战的底气,从酷寒到高温,性能始终如一。
选择AOTF2610L,就是选择了一份经得起考验的可靠承诺。它采用经典的TO-220-3F封装,兼顾了优异的通孔安装便利性与强大的功率耗散能力(Tc下高达31W),为长期稳定运行奠定了物理基础。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得驱动设计更为简洁,开关速度更快,有助于减少开关损耗,提升高频应用下的效率。这意味着您可以用更少的周边元件,构建出响应更迅捷、效率更高的功率级。当您致力于打造下一代具有市场竞争力的高性能产品时,AOTF2610L所提供的不仅仅是参数表上的优秀数字,更是一整套提升产品力、降低总成本的综合价值方案。我们诚挚推荐您通过官方AOS授权代理获取正品芯片与完整的技术支持,让专业的团队为您的创新之旅保驾护航。
- 型号:AOTF2610L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),35A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.7 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2007 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),31W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF2610L的官网价格:1000:$0.73657,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























