




AOTF262L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A TO220
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOTF262L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍AOTF262L一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力引擎。凭借其高达60V的漏源电压和惊人的电流承载能力(连续漏极电流高达17.5A @ Ta,峰值可达85A @ Tc),它为您提供了充沛的动力储备和宽广的设计裕度,让您在应对复杂工况时游刃有余,信心倍增。
想象一下,在那些对效率和散热要求严苛的应用场景中,AOTF262L将如何大放异彩。无论是工业电源转换器、电机驱动控制系统,还是高功率密度开关电源和DC-DC转换模块,它都能凭借极低的导通电阻(典型值仅3.6毫欧@20A, 10V)显著降低导通损耗,将更多电能高效转化为有用功,而非无谓的热量。这意味着您的设备运行更凉爽、更稳定,整体能效比得以大幅提升。其坚固的TO-220-3F封装和宽广的工作温度范围(-55°C至175°C结温),更是确保了它在恶劣环境下依然能保持卓越的可靠性,是您打造耐用、持久产品的坚实基石。
选择AOTF262L,就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与价值。它集高耐压、大电流、低损耗与强散热能力于一身,为您带来的不仅是单个元器件性能的飞跃,更是系统级成本优化和竞争力提升。其优化的栅极电荷(Qg)特性有助于简化驱动电路设计,让开关过程更快速、更平滑。虽然该型号已处于停产状态,但其经典的设计和可靠的性能使其在特定应用和库存替换中依然极具价值。如需获取此型号或咨询AOS全线产品,我们的AOS代理团队将为您提供专业的技术支持与供应链服务。让AOTF262L成为您下一个成功项目的强大心脏,共同开启高效、可靠的电能管理新篇章!
- 型号:AOTF262L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):135 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8140 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF262L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























