AOTF3N80

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍一款在高压开关应用中表现卓越的明星产品AOTF3N80。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品性能、保障系统稳定运行的坚实后盾。凭借其高达800V的漏源电压和优化的导通特性，它能轻松应对严苛的高压环境，将能量损耗降至更低，让您的设计在效率和可靠性上双双赢得先机。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或是各类功率转换装置中，AOTF3N80都能大显身手。它那N沟道设计和仅需10V的驱动电压，让控制变得异常简单高效；而4.8欧姆的低导通电阻（在1.5A, 10V条件下）则意味着更少的热量产生和更高的能源利用率。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密调控的电源模块，它都能提供迅速、干净的开关动作，确保系统响应敏捷，运行平稳。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-220-3F的经典封装，更是赋予了它强大的环境适应性和便捷的安装体验，让您的产品能够从容应对各种挑战。

选择AOTF3N80，就是选择了一份由AOS（Alpha & Omega Semiconductor）顶尖技术带来的安心与价值。它集高耐压、低损耗、易驱动和强散热于一身，直接为您带来更长的产品寿命、更低的系统成本和更具竞争力的市场优势。当您需要可靠的高压开关解决方案时，这颗芯片就是您不容错过的理想之选。我们作为值得信赖的AOS总代理，致力于为您提供原装正品与全面的技术支持，助您将创新想法快速转化为市场领先的产品。立即体验AOTF3N80带来的性能飞跃，开启您下一个高效、可靠的设计之旅！

• 型号:AOTF3N80
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF3N80的官网价格：1000:$0.84084，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。