AOTF7T60

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们向您隆重介绍AOTF7T60，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛应用挑战而生的卓越解决方案。它集高耐压、大电流与卓越的开关性能于一身，旨在为您的设计注入澎湃动力与坚如磐石的稳定性，让每一次能量转换都精准高效，助您轻松驾驭复杂的电力环境。

想象一下，在那些对效率和可靠性要求极高的场景中，AOTF7T60都能大显身手。无论是工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS），还是各类开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路，它高达600V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，都为您提供了充足的性能余量，从容应对电压尖峰和负载波动。其TO-220F封装不仅提供了优异的散热能力，确保在高达38W的功率耗散下稳定工作，其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，更能让您的设备在极端环境下依然保持强劲表现，大大拓展了产品的应用疆界。

选择AOTF7T60，就是选择了一份值得信赖的性能保障。它1.1欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效表现更上一层楼。这颗芯片所承载的，不仅是AOS先进的MOSFET技术，更是对品质与可靠性的不懈追求。如果您正在寻找能够提升产品竞争力、简化设计难度的核心功率器件，AOTF7T60无疑是您的理想之选。如需获取更详细的技术支持或采购信息，欢迎联系我们的AOS中国代理，专业的团队将随时为您服务。

• 型号:AOTF7T60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:962 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF7T60的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。