AOW12N60

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOW12N60来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星级N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计挑战、赢得市场竞争的得力伙伴。凭借其卓越的600V高压耐受能力和高达12A的连续导通电流，它为您的电源系统注入了澎湃而稳定的动力源泉，让高效能量转换从此变得触手可及。

想象一下，在您至关重要的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动与照明镇流器中，AOW12N60正以其出色的表现默默耕耘。它那低至550毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，为您节省每一分宝贵的电能。无论是面对工业环境的严苛考验，还是消费电子对紧凑空间与散热的高要求，它都能游刃有余，确保系统长时间稳定运行，大幅提升终端产品的可靠性与使用寿命。

选择AOW12N60，就是选择了一份安心与超越。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更为轻松，有效降低了开关损耗，提升了系统的工作频率潜力，让您的产品在响应速度与能效上双双领先。TO-262的经典封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于安装与生产。更重要的是，当您通过值得信赖的AOS总代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品保障和稳定的供货支持，更是携手顶尖半导体技术伙伴，共同开创高效能未来的绝佳机遇。立即将AOW12N60纳入您的设计，亲身体验它如何为您的项目带来颠覆性的性能提升与价值飞跃！

• 型号:AOW12N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW12N60的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。