AOWF11N70

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AOWF11N70来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、实现设计突破的得力伙伴。凭借其高达700V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，这颗芯片为您的设计注入了澎湃动力与坚实保障，让您在面对严苛的电压冲击和电流负载时，依然能够从容不迫，游刃有余。

想象一下，在您精心设计的开关电源、电机驱动或工业照明系统中，AOWF11N70将扮演怎样的角色？它卓越的700V耐压特性，使其成为AC-DC电源转换、功率因数校正（PFC）等高压应用的理想选择，有效提升了系统的安全裕度。同时，其低至870毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。无论是服务器电源追求极致效率，还是电动车充电桩需要稳定可靠的长时间运行，这颗芯片都能完美胜任，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的信赖。

选择AOWF11N70，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关特性，这不仅简化了您的驱动电路设计，更能显著降低开关损耗，提升整体系统的动态响应速度。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，从容应对从酷寒到炎热的极端挑战。更重要的是，当您通过官方授权的AOS一级代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品和稳定的供货保障，更是专业的技术支持与周到的服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。现在就为您的下一个设计注入这颗高效、可靠的能量核心吧！

• 型号:AOWF11N70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:870 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF11N70的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。