




AON7407
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON7407参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够重新定义您电源管理方案性能边界的明星产品AON7407。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术与匠心工艺的结晶,专为应对严苛的能效挑战而生。其超低的9.5毫欧导通电阻,在4.5V驱动下即可实现,这意味着更少的能量损耗转化为热量,更多的电能被高效利用,直接为您带来更长的设备运行时间、更低的温升以及更可靠的整体系统。
想象一下,在您的手持设备、便携式电池管理模块或高密度DC-DC转换器中,AON7407能够大显身手。它高达14.5A(环境温度)和40A(壳温)的连续漏极电流承载能力,配合仅1.8V的低驱动电压门槛,使其成为电池供电应用的理想选择,轻松应对负载开关、电机驱动或电源路径管理的重任。其紧凑的8-DFN(3x3)封装,在节省宝贵PCB空间的同时,凭借优异的散热设计(最大功耗29W @ Tc),确保了在高功率密度场景下的稳定运行。无论是需要快速响应的负载点转换,还是对空间极其敏感的穿戴设备,它都能无缝融入,成为您设计中那个静默而强大的“能量阀门”。
选择AON7407,就是选择了一份对卓越性能的承诺和一份对设计自由的馈赠。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)赋予了产品无与伦比的环境适应性,从酷寒到炎热的极端条件都能从容应对。更低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,这对于提升开关电源频率、减小外围元件尺寸至关重要。当您寻求一个能同时兼顾高效率、高电流、小尺寸和易驱动的P-MOSFET解决方案时,AON7407无疑是您的上佳之选。我们诚挚推荐您通过官方授权的AOS代理获取此产品,以确保获得原厂品质、可靠供货与专业的技术支持,让您的创新之旅再无后顾之忧。
- 型号:AON7407
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN-EP(3x3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A(Ta),40A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 14A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):53 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4195 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),29W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- AON7407的官网价格:1:$1.04000|5000:$0.23874,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























