AOWF12N50

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOWF12N50来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、降低整体成本的得力引擎。凭借其卓越的500V高耐压和12A的强大电流处理能力，它天生就是为应对严苛应用环境而生，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，在您的高效率开关电源（SMPS）中，无论是AC-DC适配器、PC电源还是服务器电源，AOWF12N50都能以其低至520毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。在电机驱动与控制领域，从家用电器到工业风扇，其快速的开关特性和稳健的栅极电荷管理，确保了驱动响应迅捷、运行平稳安静。甚至在LED照明驱动和功率因数校正（PFC）电路中，它都能提供稳定可靠的性能基石，让您的产品在能效与寿命上双双获得用户信赖。

为什么越来越多的工程师将AOWF12N50作为首选？答案在于它精准平衡了性能、可靠性与成本。高达28W的功率耗散能力配合TO-262F封装，提供了优异的散热特性，确保器件在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，大幅提升了系统在恶劣环境下的鲁棒性。其优化的栅极驱动电压（10V）和较低的栅极电荷，意味着您可以使用更简单、更经济的驱动电路，从而简化设计、节省PCB空间和BOM成本。选择它，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们专业的AOS代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务，助您将创意快速转化为成功的产品。

• 型号:AOWF12N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF12N50的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。