




AOW12N65
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-262
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 12A TO262
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AOW12N65参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够为您的设计注入澎湃动力与卓越稳定性的明星产品AOW12N65。它不仅仅是一个MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术与深厚工艺积淀的结晶,专为应对严苛的高压、高功率应用挑战而生。凭借其高达650V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力,它为您构筑了坚实的安全边际,让系统在面对电压浪涌和负载波动时依然稳如磐石,从容不迫。
想象一下,在您至关重要的电源设计中,无论是服务器电源、工业电机驱动,还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器,AOW12N65都能扮演那个高效、可靠的能量守门人角色。它的TO-262封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性,更能有效散热,确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着,无论您的设备身处严寒的户外环境,还是运行在持续高负荷的炎热机箱内,这颗芯片都能保持一贯的高性能输出,让您的终端产品在各种极端条件下赢得用户的持久信赖。
为何众多工程师在面临高压开关选型时,会毫不犹豫地选择AOW12N65?答案在于它精妙的平衡艺术。它在提供强大功率处理能力(最大耗散功率278W)的同时,通过优化的工艺将导通电阻(Rds(On))控制在低水平,这意味着更低的导通损耗和更出色的能源转换效率,直接帮助您降低系统运行成本。同时,其合理的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,让驱动设计变得更为轻松,有助于减少开关损耗并提升整体开关频率,为您的电源实现更高功率密度和小型化目标铺平道路。选择AOW12N65,就是选择了一份由卓越性能背书的设计自信。如需获取官方正品与全面技术支持,敬请联络AOS总代理,他们将为您提供从选型到量产的一站式服务,助您项目成功。
- 型号:AOW12N65
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-262
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO262
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):48 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):278W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
- AOW12N65的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























